Особенности коалесценции тонких пленок Au$-$Ge при формировании контактов ограниченных размеров

Исследованы особенности коалесцентного распада тонких пленок ($0.05{-}0.1$ мкм) Au$-$Ge (Ge до 5 вес.%) в процессе формирования невыпрямляющих контактов малых размеров к полупроводникам типа А$^{3}$В$^{5}$. Образцы изготавливались следующим образом. Поверхность полупроводника (GaAs, InP) покрывалась слоем окиси кремния, в котором затем с помощью фотолитографии вскрывались контактные окна, обнажающие поверхность полупроводника. Далее на поверхность полученной структуры методом термического испарения в вакууме осаждались пленки металла. Показано, что в интервале температур 570$-$690 K происходит частичный перенос материала пленки с поверхности SiO$_{2}$ на вскрытые участки полупроводника и коалесценция металлической пленки на SiO$_{2}$ вплоть до полного распада на изолированные островки, что объясняется различием коэффициентов термического расширения для исследуемых материалов: золота, окиси кремния и полупроводника. Показана возможность получения изолированных контактов заданной формы и малых размеров, в частности, омических контактов к $n$-InP площадью $\sim50$ мкм$^{2}$ и с малым переходным сопротивлением.