Образование $F$-центров и автолокализованных экситонов в сильновозбужденных ЩГК

Методом люминесцентной и абсорбционной спектроскопии с временным разрешением исследовано влияние плотности электронного импульсного возбуждения (t$_{и}$=10$^{-8}$ с, P=10$^{5}\div$10$^{8}$ Вт$\cdot$ см$^{-2}$), на эффективность образования $\eta_{э}$ двухгалоидных автолокализованных экситонов (ДАЛЭ) и $F$-центров ($\eta_{F}$) в щелочно-галоидных кристаллах CsI, CsBr, КВr, KI.
Установлено, что для всех изученных систем увеличение мощности $P$ электронного пучка (ЭП) от $10^{5}$ до $5\cdot10^{7}$ Вт$\cdot$см$^{-2}$ приводит к существенному снижению эффективности создания и выхода свечения ДАЛЭ. В условиях, когда импульсным облучением в кристаллах наводятся преимущественно $F$-центры окраски, выход $F$-центров не зависит от $P$. В случае, если $F$-центры и ДАЛЭ создаются в сопоставимых количествах (кристалл CsBr, ${T=80}$ K), снижение $\eta_{э}$ с ростом $P$ сопровождается увеличением $\eta_{F}$.
Полученные данные интерпретируются в рамках представлений о том, что тип наводимых при фиксированной температуре дефектов ($F$-центров либо ДАЛЭ) определяется колебательным состоянием автолокализующейся дырки ($V_{k}$-центра) к моменту электронного захвата. Снижение эффективности образования и выхода свечения ДАЛЭ с ростом $P$ связывается с возрастанием вероятности безызлучательной электронной рекомбинации с колебательно-нерелаксированными двухгалоидными дырками.