Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках в субмиллиметровой области спектра

Обнаружен линейный фотогальванический эффект (ЛФГЭ) в субмиллиметровой области спектра в $p$-GaAs. Установлено, что в этом диапазоне поглощение света и ЛФГЭ связаны с непрямыми оптическими переходами с участием фононов. Рассмотрены сдвиговые и баллистические механизмы ЛФГЭ, связанные с поглощением света при непрямых оптических переходах. Показано, что в этом случае возникает анизотропное распределение неравновесных носителей по импульсу. Вычислен сдвиговый ток, обусловленный смещением дырок в реальном пространстве при непрямых переходах.