Эффект аномального воздействия освещения на полевую эмиссию InSb $n$-типа

Исследована фоточувствительность нолевой электронной эмиссии InSb. Для катодов из $n$-InSb обнаружено уменьшение эмиссионного тока при освещении в отличие от обычной фоточувствительности полупроводниковых эмиттеров. Закономерности обнаруженного эффекта позволяют связать его с двумерным квантованием электронного газа в приповерхностной области антимонида индия в условиях отбора эмиссионного тока. Приводятся данные численного расчета энергетического спектра электронов в приповерхностной области полупроводника, подтверждающие предложенную интерпретацию обнаруженного эффекта.