Влияние поверхности на объемную радиолюминесценцию щелочно-галоидных кристаллов

Для оценки глубины выхода носителей заряда на поверхность твердого тела в работе исследовано влияние степени дисперсности на объемную радиолюминесценцию щелочно-галоидных кристаллофосфоров. Полученные результаты позволяют оценить глубину выхода носителей заряда на поверхность, которая оказывается порядка 10 мкм. Наиболее вероятным механизмом миграции носителей заряда к поверхности, обеспечивающим такие значительные глубины выхода, является дрейф к поверхности в поле объемного заряда, формируемого облучением.