Примесные уровни в антиферромагнитных полупроводниках

В рамках $s{-}d$-обменной модели исследована температурная зависимость энергии мелких примесных уровней в антиферромагнитных полупроводниках. Имеются два вклада противоположного знака в температурную поправку к энергии активации $\delta E$ — флуктуационный и связанный с уменьшением намагниченности подрешеток. Вклад спиновых флуктуаций приводит к увеличению $\delta E$ с ростом $T$, при этом его температурная зависимость меняется от $T^{6}$ при самых низких $T$ до линейной. Результирующая зависимость $\delta E(T)$ может иметь минимум. В антиферромагнитных полупроводниках с сильным $s{-}d$-обменом, где флуктуационные эффекты относительно менее существенны, энергия примесного уровня вычисляется в приближении среднего поля. В ферримагнитных полупроводниках зависимость $\delta E(T)$ качественно такая же, что и в ферромагнитных.