Об осцилляции электростатического потенциала в полупроводниках при экранировании внешнего электрического поля неравновесными носителями заряда

В приближении Хартри рассмотрена задача об экранировании внешнего электрического поля в полупроводниках при наличии в объеме полупроводника неравновесных носителей заряда. Показано, что в этих условиях плотность заряда и электростатический потенциал вблизи поверхности осциллируют с уменьшающейся амплитудой и возрастающим периодом.