Кислородно-вакансионные комплексы в облученных нейтронами кристаллах фенакита

Установлено, что в кристаллах фенакита Be$_{2}$SiO$_{4}$ при облучении быстрыми нейтронами дозой свыше 6$\cdot10^{17}$ н$\cdot$см$^{-2}$ эффективно генерируются агрегатные комплексы, представляющие собой дивакансии кислорода в кремнекислородной решетке Be$_{2}$SiO$_{4}$. Указанные дефекты создают центры оптического поглощения с ${\lambda_{\max}=250}$ нм и обусловливают возникновение рентгенолюминесценции с ${\lambda_{\max}=430}$ нм. Присутствие кислородных дивакансий существенно влияет на термическое упорядочение структуры отлученного Be$_{2}$SiO$_{4}$, инициируя эффект антиотжига моновакансий кислорода ($E'$-центры). Температурный интервал процессов отжига поверхностных вакансионных дефектов смещен приблизительно на 100 K в область низких температур по сравнению с аналогичным интервалом для объемных дефектов.