Вольт-амперные характеристики и элементарные диссипативные образования в тонкопленочных гранулированных сверхпроводниках

Проведен анализ вольт-амперных характеристик широких гранулированных сверхпроводников. Найдено, что их свойства в резистивном состоянии могут быть описаны через особенности выделенных в них элементарных диссипативных образований (ЭДО) — носителей «квантов» падения напряжения пленки. Осуществлено теоретическое описание системы ЭДО. Обнаружено соответствие положения максимума производной ВАХ пленки величине $nU_{0}$, где $n$ — число ЭДО, по порядку величины соответствующее количеству укладывающихся на длине образца гранул; $U_{0}$ — щелевое напряжение.