Образование центров окраски в сильновозбужденных кристаллах KCl

Методом оптической спектрометрии с временным разрешением изучено влияние плотности потока энергии импульсного электронного пучка (0.25 мэВ; 10 нc) в диапазоне значений ${P=(4\cdot10^{5}\div8\cdot10^{7})\,\text{Вт}\cdot\text{см}^{-2}}$ на эффективность образования центров окраски в кристалле КСl. Показано, что при 295 K число создаваемых за импульс $F$-центров изменяется прямо пропорционально $P$; выход $F$-центров в расчете на одну ($e^{-}{-}p^{+}$) пару определен равным ${\eta_{F}=0.13\pm0. 02}$. При 80 K обнаружено снижение выхода $F$-центров с ростом $P$ от ${0.06\pm0.015}$ при ${P=2\cdot10^{6}\,\text{Вт}\cdot\text{см}^{-2}}$ до ${0.027\pm0.01}$ при ${P=6\cdot10^{7}\,\text{Вт}\cdot\text{см}^{-2}}$. Установлено, что спад $\eta_{F}$ с ростом $P$ обусловлен подавлением процесса, создания коррелированных пар $F$- и $H$-центров при некотором увеличении выхода разделенных в пространстве дефектов. Предполагается, что причиной наблюдаемых в КСl при 80 K плотностных эффектов в дефектообразовании является конкуренция между «горячими» и релаксированными двух галоидными дырками в процессе рекомбинационного создания экситонов.