Уширение экситонных линий в полумагнитном полупроводнике

Показано, что уширение экситонных линий в полумагнитном полупроводнике определяется уходом рожденного светом экситона в состояния с большими квазиимпульсами при рассеянии на флуктуациях состава. Получены выражения для ширин экситонных линий. Проводится сравнение с экспериментальными результатами.