Диэлектрические аномалии в анизотропных твердых электролитах

Исследованы диэлектрические аномалии в резкоанизотропных квазиодномерных твердых электролитах. Показано, что при разумных параметрах в системе может произойти фазовый переход первого рода, связанный со скачкообразным нарастанием числа дипольных дефектов в одной из подрешеток кристалла («плавлением» этой подрешетки). Скачок диэлектрической проницаемости вдоль главной оси кристалла $\delta\varepsilon^{x}$ при таком переходе существенно больше, чем скачок $\delta\varepsilon$ в исследованном ранее изотропном случае: ${\delta\varepsilon^{x}\sim\delta\varepsilon(u_{0}/T_{0})}$ ($u_{0}$ — энергия образования дефектов при ${T\to 0}$, $T_{0}$ — температура перехода, ${u_{0}/T_{0}\gg1}$). Изменяется и температурная зависимость диэлектрической проницаемости вблизи $T_{0}$. В суперионной фазе может произойти сегнетоэлектрическое упорядочение дипольных моментов (в отличие от сегнетоэлектриков здесь при низких температурах кристалл находится в параэлектрическом состоянии, так как число дефектов мало). При этом реальна ситуация, когда переход параэлектрик–сегнетоэлектрик происходит при температурах выше $T_{0}$ в связи с нарастанием числа дефектов, и лишь затем происходит обратный переход в парафазу. Исследованы суперионные переходы во внешнем поле и показано, что относительное смещение температуры перехода в сильноанизотропных кристаллах, а также в кристаллах, где существенную роль играют близкодействующие силы, способствующие установлению сегнетоэлектрического порядка, значительно (примерно в $\delta\varepsilon$ раз) больше, чем в изотропных системах с чисто электростатическим взаимодействием.