Аннотация:
Разработана методика расчета плотности электронных уровней в пластинах с учетом их пространственного квантования и возмущения, вносимого поверхностью в параметры гамильтониана. Принципиально новым моментом по сравнению с предыдущими расчетами является учет зонной структуры спектра. Из-за такой структуры поверхностная плотность уровней немонотонно зависит от энергии и чувствительна к кристаллографическим индексам поверхностей пластины. Соответственно поверхностные части энергии Ферми, теплоемкости и восприимчивости немонотонно зависят от концентрации электронов. Обсуждены электронные фазовые переходы при изменении условий на поверхности, которые сопровождаются скачками восприимчивости и теплоемкости. Они возникают, в частности, при пересечении уровнем Ферми того экстремума поверхностной зоны, который лежит внутри объемной зоны.