Релаксация фототока и электрического поля в МДП структуре на основе силиката висмута

Дан теоретический анализ релаксации фототока и поля в МДП структуре на основе высокоомного полупроводника в условиях однородной фотогенерации и рекомбинации при произвольном соотношении толщин полупроводника, диэлектрика и длины дрейфа электронов. Показано, что объемный характер релаксации поля находит отражение в особенностях формы кривых зарядного тока структуры, что позволяет по кинетике фототока судить о размерах возникающей при обедняющей полярности приложенного напряжения области пространственного заряда. Сопоставление с экспериментом, проведенным для кристаллов типа силленитов при комнатной температуре, облучении зеленым светом (${\lambda= 530\div580}$ нм) в интервале напряженности поля ${10^{4}\div10^{7}}$ В/м показывает справедливость приведенного анализа. Определены длина дрейфа электронов в единичном поле и максвелловское время (при заданном уровне облучения) в кристалле Bi$_{12}$SiO$_{20}$.