Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры

Рассмотрены процессы термической ионизации и многофононной рекомбинации через глубокие примесные центры. Для описания состояний носителей использована многозонная модель короткодействующего потенциала, что впервые позволило вычислить сечения захвата электронов и дырок на один и тот же центр. Вычисления проведены на примере донорного $A_{1}$-состояния в полупроводниках А$^{3}$В$^{5}$. Результаты вычислений сопоставлены с экспериментальными данными по захвату электронов и дырок на уровень $\mathcal{E}{L2}$ в GaAs.