Динамика энергетических зон каналирующих электронов. Околобарьерные эффекты

В диапазоне энергий ${E= 1.87\div5.70}$ МэВ измерены угловые распределения электронов, каналирующих вдоль (100) и (110) плоскостей 2 мкм монокристалла Si. Результаты сравниваются с численными расчетами, проведенными в 31-волновом приближении квантовой теории каналирования. Получено согласующееся с экспериментом условие локализованности квантовых состоянии каналирования. Обнаружены и исследованы эффекты квантовой модуляции деканалирования электронов, подавления деканалирования при ${E>E_{c}}$, где $E_{c}$ — критическая энергия электронов, подавления дифракции электронов при локализации состояний верхней заселенной зоны.