Поглощение света в нестехиометрическом Cu$_{2-\delta}$Se

При температурах 85 и 295 K в диапазоне длин волн ${\lambda=0.7\div3.2}$ мкм проведены исследования поглощения света нестехиометрических кристаллов Cu$_{2-\delta}$Se с концентрациями свободных дырок ${p=1.5\cdot10^{18}\div5\cdot10^{20}\,\text{см}^{-3}}$. Установлено возрастание коэффициента поглощения свободными дырками $\alpha_{e}$ с увеличением длины волны света $\lambda$ и концентрации $p$: ${\alpha_{e}\sim\lambda^{1.8\div1.9}}$, ${\alpha_{e}~(\lambda=2\,\text{мкм})\sim p^{0.9}}$. Коротковолновый сдвиг края основной полосы поглощения, увеличивающийся с ростом $p$, объяснен с учетом значительного сужения запрещенной зоны соединения $E_{g}$, обусловленного электрон-электронным и электрон-ионным взаимодействиями. Установлено, что $\Delta E_{g}$ составляет ${\sim100}$ мэВ для концентраций дырок ${\sim10^{20}\,\text{см}^{-3}}$ и увеличивается с ростом $p$ согласно закону, близкому к ${\Delta E_{g}\sim p^{1/3}}$.