Упругое рассеяние света на заряженных дефектах в сегнетоэлектриках

Теоретически исследованы зависимости интенсивности упругого рассеяния света на заряженных дефектах в сегнетоэлектриках разных типов от температуры и волнового вектора рассеяния. Рассмотрены сегнетоэлектрики с одно-, двух- и трехкомпонентным параметром порядка для случаев линейного и квадратичного электрооптического эффекта в неполярной фазе. Оценена роль двукратного рассеяния. Показано, что интенсивность упругого рассеяния на заряженных дефектах, как правило, превышает интенсивность рассеяния на точечных дефектах иной природы и существенно зависит от соотношения между радиусом экранирования Дебая $r_{D}$ и обратным волновым вектором рассеяния. Обсуждена возможность определения концентрации заряженных дефектов и $r_{D}$ методами рассеяния света.