Аннотация:
У теллуридных стекол $a$-Si$_{15}$Ag$_{15}$Te$_{70}$ и $a$-Si$_{15}$Ag$_{5}$Te$_{80}$ при давлении ${P_{c}\approx70}$ кбар происходит переход диэлектрик–металл андерсоновского типа. Вблизи $P_{c}$ появляется сверхпроводимость с критической температурой $T_{c}$, растущей при сжатии в интервале давлений $P_{c}$ — 130 кбар. В этой же области давлений измерены кривые критических магнитных полей $H_{c2}(T)$. Рассматривается роль эффектов локализации в поведении электрических и сверхпроводящих характеристик.
УДК:
535.611
Поступила в редакцию: 02.10.1987 Исправленный вариант: 09.03.1988