Влияние эффектов слабой локализации и взаимодействия электронов на температурную зависимость проводимости аморфных пленок висмута

Проведен анализ экспериментальных зависимостей электросопротивления $R$ от температуры $T$ и поперечного магнитного поля $H$ аморфных пленок висмута, полученных осаждением в вакууме на охлажденную жидким гелием подложку, с целью выявления влияния на эти зависимости эффектов слабой локализации и взаимодействия электронов. Показано, что зависимости $R(H)$ при ${T\lesssim15}$ K объясняются совместным влиянием слабой локализации и поправки Маки–Томпсона в рамках двумерного случая этих теорий. Это позволило определить зависимость времени фазовой релаксации электронов ${\tau_{\varphi}(T)\sim T^{-2}}$, определяемую влиянием неупругих электрон-фононных столкновений. Зависимость $\tau_{\varphi}(T)$ хорошо объясняет в рамках трехмерного случая теории слабой локализации и типичное для аморфных пленок висмута линейное уменьшение $R$ с повышением температуры при ${T\gtrsim25}$ K.