Процессы локализации в кристаллах CdS при контакте с SiO$_{2}$ и электролитом

В кристаллах CdS находящихся в контакте с тонкой пленкой SiO$_{2}$ или замороженным электролитом, обнаружена при 4.2 K новая полоса люминесценции примыкающая с длинноволновой стороны к области экситонной фотолюминесценции. Изучены зависимость спектрального положения полосы от интенсивности возбуждающего света и времени задержки, состояние поляризации, область возбуждения, форма полосы при селективном и зона-зонном возбуждении. Обсуждаются механизмы возникновения $LS_{1}$-полосы.