Дефектообразование при отжиге нейтронно-облученного карбида кремния

Рентгенодифракционными методами изучено диффузное рассеяние и определены параметры решетки в SiC, облученном потоком реакторных нейтронов, в зависимости от дозы облучения (${\Phi=10^{17}\div10^{21}\,\text{см}^{-2}}$) и температуры изохронного отжига (${T_{a}=200\div2600^{\circ}}$С). Исследовано также изменение в процессе отжига электрических и оптических свойств образцов. Установлено, что радиационные дефекты приводят к увеличению параметров решетки и частично отжигаются при ${T_{a}=500\div1000^{\circ}}$С. Основная стадия отжига, в результате которой происходит почти полное восстановление исходной концентрации носителей заряда, коэффициента оптического поглощения и параметров решетки, происходит при ${T_{a}=1500\div1700^{\circ}}$С и характеризуется энергией активации, равной 3.0 эВ. При более высоких ${T_{a}\geqslant1900^{\circ}}$С в образцах методом диффузного рассеяния, проводимого на трехкристальном спектрометре, выявлены крупные кластеры междоузельного типа, размеры которых растут с повышением $T_{a}$ от 100$-$200 Å при $1900^{\circ}$С до 2000$-$4000 Å при $2500^{\circ}$С.