Поглощение света и линейный фотогальванический эффект, обусловленные несоразмерной сверхструктурой в сегнетоэлектрике Ba$_{2}$NaNb$_{5}$O$_{15}$

Измерены температурные зависимости коэффициента поглощения света $\alpha$ и компоненты ${\Delta\chi=\chi^{}_{31}-\chi^{}_{32}}$ фотогальванического тензора ${\chi}$ в несоразмерной фазе кристалла Ba$_{2}$NaNb$_{5}$O$_{15}$. Эти зависимости немонотонны и определяются не только скоростью изменения температуры, но и предшествующими условиями. Исключение составляет комнатная температура, при которой все зависимости $\alpha(T)$ или $\Delta\chi(T)$ пересекаются. Анализ экспериментальных данных свидетельствует о существовании в Ba$_{2}$NaNb$_{5}$O$_{15}$ двух типов дефектов, взаимодействующих с антифазными границами и определяющих оптическое поглощение и фотоэлектрические явления в спектральной области ${\hbar\omega<3}$ эВ.