Заряженные дислокации в сегнетоэлектриках

Впервые установлено, что в кристаллах, обладающих спонтанной поляризацией, дислокации определенных типов имеют собственный электрический заряд. Выведена формула, позволяющая рассчитать линейную плотность заряда произвольной дислокации в сегнетоэлектрике, и показано, что для краевых дислокаций эта плотность может достигать значительных величин. Предсказан и теоретически описан ряд физических эффектов, связанных с движением заряженных дислокаций в сегнетоэлектриках.