Рассеяние света электронно-дырочной плазмой в полупроводнике в столкновительном режиме

Построeна теория рассеяния света неравновесной электронно-дырочной плазмой в столкновительном режиме в полупроводниках. Исследована форма линии рассеянного света квазинейтральными флуктуациями плотности. Показано, что далекое крыло линии может определяться флуктуациями неосновных носителей, не полностью подавленными кулоновским экранированием.