Возникновение бистабильных состояний примесей со смешанной валентностью в полупроводниках

Модель Андерсона для редкоземельной примеси в кристалле используется для описания явления промежуточной валентности в полупроводниках. Получено новое решение задачи Андерсона, описывающее бистабильное состояние примесного иона. Это состояние характеризуется тем, что волновая функция примесного $f$-электрона распределена между внутренней и внешней ямами эффективного примесного потенциала. Существование внешнего минимума этого двухъямного потенциала обеспечивается электрон-дырочным притяжением в полупроводнике. Эта однопримесная модель имитирует промежуточную валентность реальных полупроводников с периодической решеткой Андерсона.