Образование электронно-дырочной плазмы в электрическом поле в сульфиде кадмия

Анализ трансформации спектров отражения и пропускания CdS в электрическом поле при интенсивном оптическом возбуждении ниже экситонного резонанса показывает, что поле вызывает рост плотности фотовозбужденных носителей и образование электронно-дырочной плазмы, причем распределение носителей сильно неоднородна как на возбуждаемой поверхности, так и по глубине кристалла. Предложен механизм действия поля.