Поверхностные экситоны и акцепторы в МПД структурах

Рассчитана энергия связи и определены параметры вариационной функции экситона и акцепторного центра, образованных неосновными носителями (дырками), связанными с электронами в приповерхностном слое, или с акцепторами, находящимися на границе диэлектрик–полупроводник. Учитывается экранирование заряда электрона, дырки и акцептора другими свободными электронами приповерхностного слоя. Показано, что в кремниевых МДП структурах (100) поверхностные экситоны могут существовать при концентрации поверхностного заряда $n_{s}$ порядка $10^{11}{-}10^{12}\,\text{см}^{-2}$. Рассчитаны относительные интенсивности линии экситонной люминесценции и полосы, обусловленной рекомбинацией дырки в экситоне со свободными электронами.