Плотность состояний бесщелевого примесного полупроводника в магнитном поле

Изучена энергетическая зависимость плотности состояний $\rho_{H}(H)$ при ${E\to0}$ бесщелевого примесного полупроводника I рода в квантовом пределе. Показано, что задача о вычислении $\rho_{H}(E)$ сводится к точно решаемой одномерной стохастической задаче. Учет короткодействующих примесей приводит при ${E\to0}$ к конечной плотности состояний. При рассеянии на потенциале типа модуляция щели $\rho_{H}(E)$ имеет дайсоновскую особенность.