Электрофизические свойства пленок A$_{2}^{\text{V}}$B$^{\text{VI}}_{3}$, приготовленных методом катодного распыления

Исследованы причины возрастания концентрации донорных центров в тонких слоях (Bi, Sb)$_{2}$Te$_{3}$, полученных методом катодного распыления, при возрастании миграционной способности атомов и молекул осаждаемого материала на поверхности растущей пленки. Установлены механизмы, ответственные за изменение подвижности носителей заряда в сформированных слоях с электронной и дырочной проводимостью в процессе их термообработки.