Аннотация:
Усиление электронно-дырочного взаимодействия на уровне Ферми двумерных электронов на поверхности кремния при большой плотности поверхностного заряда приводит к сильному изменению спектра рекомбинационного излучения двумерных электронов и появлению новой линии на коротковолновом краю спектра.