О захвате электронов дислокацией в полупроводнике

В рамках адиабатического подхода рассмотрен безызлучательный многофононный переход электрона из объемной зоны в автолокализованное конденсонное состояние, порождаемое краевой дислокацией в запрещенной зоне полупроводника. Получена, зависимость вероятности захвата электрона как нейтральной (реконструированной), так и отрицательно заряженной дислокацией от температуры, константы деформационного потенциала, а также других параметров кристалла.