Оптическая бистабильность, эффект пульсаций и домены (волны) поглощения в GaSe

В слоистых полупроводниках GaSe и GaSe$_{0.8}$S$_{0.2}$ зарегистрированы и исследованы оптическая бистабильность и эффект пульсаций прошедшего через образец лазерного излучения, обусловленные образованием локализованных и движущихся доменов (волн) поглощения. Скорость движения доменов вдоль оптической оси кристаллов составляла 2$-$8 см/с, а период пульсаций выходного сигнала 0.5$-$25 мс. Обнаружены особенности поведения выходного сигнала, связанные с влиянием на движение доменов регулярной переменной составляющей падающего излучения. Проводится сравнение с результатами экспериментов для ZnSe. Для объяснения поведения движущихся доменов использована одномерная модель теплопроводностного режима движения домена (волны) поглощения.