О формировании полого канала вдоль траектории тяжелого иона в приповерхностном слое диэлектрика

Электронномикроскопически с использованием техники оттеняемых реплик обнаружено формирование полого канала вдоль траектории движения тяжелого высокоэнергетичного иона в приповерхностном слое кристаллов гипса и медного купороса, а также коллодия. Облучение потоком коллимированных ионов $_{54}$Xe$^{132}$ с энергией ${E\cong1}$ МэВ/нуклон производилось на циклотроне ЛЯР ОИЯИ (г. Дубна).
Предполагается, что формирование канала обусловлено давлением газа, возникающего вдоль траектории движения иона. Выполнены оценки величины давления и температуры, развиваемых в ядре трека.