Аннотация:
Методом трехкристального спектрометра изучен характер брэгговской дифракции рентгеновских лучей в эпитаксиальных структурах на основе соединений GaSb и InP с дислокациями несоответствия и без них. Показано, что дислокационные сетки вызывают уширение дифракционной картины в обратном пространстве в направлении, перпендикулярном вектору обратной решетки $\mathbf H$. Из характера рассеяния вытекает, что поля смещений дислокационных сеток распространяются аномально далеко как к поверхности пленки, так и в глубь подложки. Различный вид трехкристальных кривых для систем с дислокациями несоответствия и без них позволяет фиксировать наличие дислокационных сеток в кристалле. Построение распределения интенсивности вдоль вектора $\mathbf H$ дает возможность исключить влияние дислокаций несоответствия и повысить разрешение рефлексов от пленки и подложки.
УДК:
548.732
Поступила в редакцию: 24.05.1988 Исправленный вариант: 20.06.1988