К возможности экзоэмиссионного анализа электронной структуры пленок аморфного кремния

Исследована фототермостимулированная экзоэлектронная эмиссия (ФТСЭ) из слоев аморфного кремния трех типов: термически напыленного при перпендикулярном $a$-Si$(\perp)$ и наклонном $a$-Si($\angle$) падении пучка пара на подложку, а также аморфного гидрированного кремния $a$-SiH$_{x}$ в интервале температур 273$-$723 K. Наличие развитой внутренней поверхности, а также собственных дефектов аморфной сетки кремния — оборванных связей — обусловливает сложность спектров ФТСЭ. Показано влияние фотоиндуцированных метастабильных состояний на спектры ФТСЭ в слоях аморфного гидрированного кремния.