Кондовское рассеяние в кристаллах EuCu$_{2-x}$Si$_{2+x}$

Исследованы дифференциальная термоэдс, электрическое сопротивление ($4.2 < T < 350$ К) и магнитная восприимчивость (${77 < T < 300}$ К) в образцах соединения EuCu$_{2-x}$Si$_{2+x}$, в котором эффективная валентность европия $v_{\text{эф}}\,$($T=300$ К) изменяется в зависимости от состава от 2.62 до 2.0. При значении $v_{\text{эф}}\approx 2.16\,$($T=300$ К) в EuCu$_{2-x}$Si$_{2+x}$, как и в ранее исследованной системе EuCu$_{2}$ (Si$_{x}$Ge$_{1-x}$)$_{2}$, происходит резонансное рассеяние носителей заряда при $T \simeq 25$ K и возникновение состояния типа концентрированной кондо-системы.