Линейный фотогальванический эффект в $p$-GaAs в классической области частот

Обнаружен линейный фотогальванический эффект (ЛФГЭ) в классической и переходной области частот возбуждающего излучения ($\lambda=90\div 385$ мкм). Показано, что фототок и коэффициент поглощения света не зависят от длины волны. Исследованы концентрационная и температурная зависимости фототока, проанализированы его механизмы. Возникновение ЛФГЭ в классической области эквивалентно появлению квадратичной электропроводности нецентросимметричных кристаллов в постоянном электрическом поле.