Электрон-фононное взаимодействие в слоистых полупроводниках

Исследованы электрон-фононное взаимодействие и температурная зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках с естественной слоистой структурой. Показано, что в области низких температур важным каналом релаксации энергии электрона является рассеяние на изгибных волнах. Нелинейный характер такого электрон-фононного взаимодействия обусловливает резкую анизотропию температурного изменения величины запрещенной зоны в слоистом полупроводнике.