О ширинах линий излучения электронов при осевом каналировании в монокристаллах

Разработан метод определения положения и ширин линий излучения электронов при осевом каналировании, который позволяет учитывать зонное уширение и влияние процессов рассеяния на ядрах и электронах кристалла. Проведено сравнение с экспериментом, которое дает хорошее согласие. Показано, что для получения линий в спектре излучения необходимо использовать относительно низкие энергии и материалы с малым зарядом ядра. При высоких энергиях (${\sim50}$ мэВ для кремния) должен наблюдаться общий подъем в мягкой части спектра излучения электронов.