Особенности гальваномагнитных и магнитных свойств монокристаллов HgCr$_{2}$Se$_{4}$ с добавками In и Ga

В монокристаллах HgCr$_{2}$Se$_{4}$ : Ga, близких к стехиометрии, обладающих высоким удельным электросопротивлением $\rho\simeq 10\div 10^{5}$ Ом$\,\cdot\,$см и резким максимумом $\rho$ в точке Кюри $T_{c}$, обнаружено изотропное гигантское положительное магнетосопротивление (МС) выше $T_{c}$. В этих кристаллах немного ниже $T_{c}$ сначала наблюдается гигантское отрицательное МС $\sim90$ % в поле 43 кЭ, затем МС меняет знак и сразу выше $T_{c}$ становится положительным, достигая в максимуме $\sim17$ %. Монокристаллы HgCr$_{2}$Se$_{4}$ : In, имеющие отклонения от стехиометрии и обладающие низкой величиной $\rho\sim 1\div 10$ Ом$\,\cdot\,$см, обнаруживают значительно меньшее возрастание $\rho$ (приблизительно в три раза) в районе $T_{c}$ и отрицательное МС $\sim 70$ % немного ниже $T_{c}$. Максимумы положительного МС, модуля отрицательного МС, $\rho$ (для HgCr$_{2}$Se$_{4}$ : Ga) и кривые намагниченности от температуры в районе $T_{c}$ смещаются под действием магнитного поля в сторону более высоких температур. Указанные особенности МС и намагниченности объясняются с помощью примесных ферронов.