Термостимулированная генерация дислокаций в совершенных кристаллах антрацена

На основании измерения низкотемпературных спектров флуоресценции совершенных кристаллов антрацена показано, что при их термическом отжиге в интервале температур ${323\div393}$ K происходит генерация небазисных краевых дислокаций с вектором Бюргерса, направленным вдоль в-оси кристалла. Оценка концентрации дислокаций дает величину ${\sim(10^{4}\div10^{5})\,\text{см}^{-2}}$. В работе обсуждаются вероятные причины возникновения дислокаций с акцентом на участии дилатонов.