Дислокационная сенсибилизация фотоэкзоэлектронной эмиссии

Выполнены экспериментальные и теоретические исследования природы сенсибилизирующего влияния пластической деформации на фотоэкзоэлектронную эмиссию окрашенных кристаллов. Показано, что интенсивность эмиссии возрастает в 15$-$30 раз, если одновременно с освещением кристалл подвергнут пластической деформации. Рассмотрен механизм этого явления, связывающий усиление эмиссии с действием электрического поля, возникающего при перемещении заряженных дислокаций. Если до действия деформации на поверхность кристалла при освещении выходили электроны только из тонкого приповерхностного слоя, толщина которого определялась длиной диффузии, то под действием электрического поля, возникающего в результате движения дислокаций, толщина слоя значительно возрастала и определялась длиной дрейфа. Предложенный механизм разумно согласуется с экспериментом.