Распределение заряда и химическая связь в селениде германия

Плотность электронного заряда валентных зон для слоистого полупроводникового соединения GeSe рассчитана с использованием волновых функций псевдопотенциального гамильтониана. Показано, что в GeSe значительная часть заряда нижних четырех валентных зон сосредоточена вблизи атомов Se. Заряд следующей группы четырех зон сосредоточен в основном вблизи атомов Ge. Для зон 9$-$16 заряд практически располагается посередине между атомами Ge и Se. Интересной особенностью обладает распределение заряда самых верхних валентных зон 17$-$20. По-видимому, эти зоны обязаны своим происхождением $p$-состояниям атомов Se и частично s-состояниям атомов Ge.