Акустоэлектронное взаимодействие в полупроводниках со сложной структурой зон

Построена теория поглощения звука свободными носителями заряда в полупроводниках со структурой валентной зоны типа Ge и Si. Выполнены систематические измерения коэффициента поглощения звука в кремнии $p$-типа в широком диапазоне концентраций и температур. Проанализированы различные механизмы упругого рассеяния дырок и показано, что в условиях эксперимента наиболее эффективным механизмом релаксации, вызывающим поглощение акустической волны, является рассеяние на заряженных примесях. В рамках предложенной теории вычислена подвижность дырок. Сделан вывод, что в рассмотренных кинетических процессах основную роль играет внутризонное рассеяние носителей заряда. Продемонстрировано хорошее согласие между теоретической и экспериментальной концентрационными зависимостями коэффициента поглощения звука при различных температурах.