Рентгенодифрактометрическое исследование нарушенных приповерхностных слоев Si(111) и In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P/GaAs(111) на основе модели постоянного градиента деформации

На основе модели кристалла с линейным изменением деформации в кинематическом случае получены приближенные выражения для определения градиента деформации, величины деформации на поверхности кристалла и толщины нарушенного слоя. Рентгенодифракционный эксперимент и расчеты указанных величин проведены для ряда образцов твердого раствора In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P и автоэпитаксиальных пленок кремния с диффузией бора.