Особенности излучательной рекомбинации в кристаллах GeSe$_{2}$ и As$_{2}$Se$_{3}$

Исследованы спектры излучения и возбуждения ФЛ, кинетика затухания, температурная зависимость интенсивности ФЛ и времени жизни, степень поляризации ФЛ и ее температурная зависимость в области низких температур. Наблюдаемые особенности ФЛ при низких температурах обсуждаются в предположении, что полоса ФЛ в кристаллах GeSe$_{2}$ и As$_{2}$Se$_{3}$ обусловлена излучательной рекомбинацией автолокализованного экситона.