Выделение из кристаллов LiF гелия, введенного различными методами

Изучены закономерности выделения ${}^{3}$Не и ${}^{4}$Не из кристаллов LiF, введенного в них различными методами: диффузией, пластической деформацией и облучением ионами гелия. Показано, что спектры выделения гелия имеют различный характер и зависят от метода его введения. При изотермическом и динамическом отжиге кристаллов LiF наиболее низкотемпературные ловушки гелия обнаруживаются при введении его методом пластической деформации (интервал температур его выделения 320$-$620 K). Далее следуют методы диффузии (320$-$1120 K) и облучения (750$-$970 K). По спектрам выделения гелия можно судить о механизмах его проникновения в кристаллы LiF.