Магнитооптический эффект Франца$-$Келдыша в поле сильной бихроматической световой волны

Рассмотрено межзонное поглощение одной из компонент, частота которой $\omega_{1}$, сильной бихроматической световой волны в полупроводнике в присутствии внешних однородных стационарных электрического и магнитного полей. Изложена общая методика расчета мощности поглощаемого излучения $P(\omega_{1})$. Получены аналитические результаты для случая параллельной ориентации электрических полей волн, а также стационарных полей. Считается, что расстройка частот волн ${\omega_{1}-\omega_{0}}$ существенно превышает некоторую характерную частоту ${e^{2}F_{0}F_{1}(2\mu\hbar\omega_{0}\omega_{1})^{-1}\ll\omega_{0,1}}$, определяемую частотами и амплитудами $F_{0,1}$ электрических световых нолей вместе с приведенной эффективной массой электронов и дырок $\mu$. Исследована зависимость поглощаемой мощности от характеристик воли, чисел фотонов, участвующих в поглощении, напряженностей однородных электрического и магнитного полей и от зонных параметров полупроводника. Показано, что для данной области расстроек частот основное влияние однородного электрического поля заключается в коротковолновом смещении пиков нечетно-фотонных магнитопереходов, их размытии и длинноволновом смещении края вследствие межзонного тунелирования (эффект Франца$-$Келдыша).