Излучательная рекомбинация двумерных электронов и дырок, локализованных на поверхностных центрах в кремнии

В спектрах рекомбинационного излучения кремниевых структур металл$-$окисел$-$полупроводник с длинноволновой стороны от линии излучения электронно-дырочных пар, связанных со слоем поверхностного заряда ($S$-линии), обнаружена новая линия — $D$-линия излучения. Поведение спектров $D$-линии в зависимости от плотности двумерных электронов на поверхности кремния и уровня возбуждения, а также результаты исследования циркулярной поляризации излучения в магнитном поле свидетельствуют о том, что эта линия обусловлена излучательной рекомбинацией двумерных электронов и дырок, локализованных на поверхностных центрах в кремнии.